Material- und Designinnovationen verschieben die Leistungsgrenzen von SMD-Leistungsinduktivitäten der nächsten Generation

5. Juli 2026, München, Deutschland Auf der European Power Electronics Exhibition 2026 (PCIM Europe) stellten führende Komponenten- und Materiallieferanten bahnbrechende Innovationen vor, die die Leistungsgrenzen der SMD-Leistungsinduktivität neu definieren.

Fortschrittliche nanokristalline und amorphe Metalllegierungskerne ermöglichen die nächste GenerationSMD-LeistungsinduktivitätGeräte erreichen im Vergleich zu herkömmlichen Designs auf Ferritbasis einen bis zu 30 % höheren Sättigungsstrom, 25 % geringere Kernverluste und eine um 40 % verbesserte Temperaturstabilität. In Kombination mit hochreinen, sauerstofffreien Kupferwicklungen und ultradünnen Isoliermaterialien reduzieren diese Fortschritte den DCR um weitere 15 % und unterstützen den Betrieb mit höherer Frequenz, der für SiC- und GaN-Leistungsdesigns mit großer Bandlücke erforderlich ist.

Das UpgradeSMD-Leistungsinduktivitätliefert dramatische Verbesserungen bei Leistungsdichte, Effizienz und thermischem Verhalten und ermöglicht kleinere, leichtere und zuverlässigere Stromversorgungssysteme für Elektrofahrzeuge, KI-Server, Luft- und Raumfahrt und industrielle Automatisierung. Branchenexperten sind sich einig, dass diese Material- und Designdurchbrüche die SMD-Leistungsinduktivität als unverzichtbaren Baustein für die nächste Ära hocheffizienter Leistungselektronik festigen werden.