Huizhou MagTop Elektronik Co, Ltd516006HakkımızdaA Binası, Fudong Ind. Park, No. 47, Hechang West 2nd Road, Zhongkai Yüksek Teknoloji Bölgesi, Huizhou, Guangdong, Çin.Manyetik bileşen ürünlerinde 16 yıllık profesyonel Ar-Ge ve üretim tecrübesi, ISO9001, UL, CE, RoHS sertifikası, Mükemmel kalite, Rekabetçi fiyat, Hızlı teslimat ve En İyi hizmet.Huizhou MagTop Elektronik Co, Ltd516006HakkımızdaA Binası, Fudong Ind. Park, No. 47, Hechang West 2nd Road, Zhongkai Yüksek Teknoloji Bölgesi, Huizhou, Guangdong, Çin.Manyetik bileşen ürünlerinde 16 yıllık profesyonel Ar-Ge ve üretim tecrübesi, ISO9001, UL, CE, RoHS sertifikası, Mükemmel kalite, Rekabetçi fiyat, Hızlı teslimat ve En İyi hizmet.Huizhou MagTop Elektronik Co, LtdHuizhou MagTop Elektronik Co, LtdHuizhou MagTop Elektronik Co, LtdHuizhou MagTop Elektronik Co, LtdHuizhou MagTop Elektronik Co, LtdHuizhou MagTop Elektronik Co, LtdHuizhou MagTop Elektronik Co, LtdHuizhou MagTop Elektronik Co, LtdHuizhou MagTop Elektronik Co, LtdHuizhou MagTop Elektronik Co, LtdHuizhou MagTop Elektronik Co, LtdHuizhou MagTop Elektro
Koruyucu verimliliğin hesaplama formülüne göre, manyetik alan test cihazı genellikle korumadan önce ve sonra manyetik alan yoğunluğunu veya elektrik alan yoğunluğunu test etmek için kullanılır. Manyetik saha test cihazının doğrudan satın alınması, performans ve fiyat oranı ile ciddi şekilde kısıtlanmıştır. Bu nedenle, transformatörün doğası ve özellikleri göz önüne alındığında, düşük frekanslı transformatör koruma verimliliği test sistemi kurulmuştur. 50 VA'nın koruma verimliliğigüç frekansı e transformatörÜç koruma modunun altında dolaylı yöntemle test edilir. Sonuçlar, koruma verimliliği test sisteminin performans ve fiyat oranının yüksek olduğunu, test sonuçlarının doğru ve güvenilir olduğunu ve uygun koruma formunu ve anti-jamming önlemlerini seçmek için bir karar temeli sağlayan elektromanyetik uyumluluk gereksinimlerini karşıladığını göstermektedir.
Kompozisyon ve test prensibidüşük frekanslı transformatörKoruma Test Sistemi :
Sistem, koaksiyel kabloyu ve transistör millivolt metreyi birbirine bağlayan kendi kendine yapılan test rafından (prob ve pikap dahil) oluşur. Koruma etkinliği dolaylı ölçüm ile ölçülmüştür. Temel prensip: Alanda bir ev yapımı prob sensörü uzay rezervasyon noktası (bobin), prob testi bobini yoluyla dikeydeki manyetik alan çizgileri, koaksiyel kablo şanzımanı ile indüksiyon sinyali, transistör tarafından ölçülen indüksiyon voltajı rms milivoltmetre, Maxwell indüksiyon yoğunluğu ve manyetik yoğunluk ve manyetik arazi akışına göre, manyetik indüksiyon yoğunluğu, manyetik indüksiyon yoğunluğu, manyetik indüksiyon yoğunluğu, manyetik indüksiyon yoğunluğu arasındaki ilişki, manyetik indüksiyon yoğunluğu, manyetik indüksiyon yoğunluğu, manyetik indüksiyon yoğunluğu arasındaki ilişki türetilmiş. Bir sinüzoidal manyetik alanda, ekranlama verimliliği, korelasyondan önce ve sonra bir noktada indüklenen potansiyelin (U0, U1) oranı ile ölçülebilir.
Koruma verimliliği genellikle desibel (db) olarak ifade edilir. Araştırma sonucu, çift katmanlı kalkanın koruma etkinliği bundan daha iyidir
tek katmanlı kalkan ve tek katmanlı kalkanın koruma verimliliği kısa devre halkasından daha iyidir. Double shielding shielding shielding effectiveness of shielding effectiveness is not a single simple sum, but in the transformer to be measured for the first time provide low magnetic resistance pathways on the basis of the leakage magnetic field, again through the first layer of shielding the magnetic flux leakage of low magnetic resistance pathway as the second layer shielding, so compared with the single layer shielding, double layer shielding outside leakage magnetic field has been büyük ölçüde azaldı. Kısa devre halkası, iyi iletkenin kısa devre halkasında girdap akımları üretmek için manyetik sızıntı alanını korumalar, bu da etkisine karşı koymak için manyetik sızıntı alanının karşısında manyetik bir alan üretir. Bu yapının koruma verimliliği, manyetik sızıntı alanının frekansının artması ve indüklenen girdap akımlarının artması ve girdap akımlarının koruma etkisi düşük frekansta açık değildir. Bu sonuç elektromanyetik teori ile iyi bir uyum içindedir.