Fraunhofer ENAS entwickelt 6-GHz-Hochfrequenz-Ringkerninduktor für 5G-Basisstationen

22. Januar 2026 Das Fraunhofer-Institut für Elektronische Nanosysteme (ENAS) in Deutschland gab einen Durchbruch in der Hochfrequenzkomponententechnologie mit der Entwicklung eines vertikalen Ringinduktors bekannt, der einen stabilen Betrieb bei Frequenzen bis zu 6 GHz ermöglicht und auf 5G-Makro- und Kleinzellen-Basisstationen abzielt. Herkömmliche Induktivitäten leiden bei hohen Frequenzen unter übermäßiger Signaldämpfung und parasitärer Kapazität, was ihren Einsatz in 5G-HF- und Stromkreisen einschränkt.

Der neue Ringinduktor verwendet ein fortschrittliches nanokristallines Kernmaterial, das eine hohe Permeabilität und einen geringen Kernverlust bei Mikrowellenfrequenzen bietet, während seine optimierte Donut-förmige Geometrie parasitäre Kapazitäten minimiert. Die Testergebnisse zeigen nur eine Signaldämpfung von 3 % bei 6 GHz und übertreffen damit herkömmliche Induktivitäten auf Ferritbasis deutlich. Dr. Jan Meier, leitender Forscher am Fraunhofer ENAS, stellte fest, dass das Gerät den Stromverbrauch der Basisstation um etwa 8 % senken und die Latenz der drahtlosen Kommunikation verringern kann, wodurch kritische Herausforderungen bei der Bereitstellung der 5G-Infrastruktur angegangen werden.

Das Institut hat die Technologie an einen großen globalen Hersteller von Telekommunikationskomponenten lizenziert. Die kommerzielle Produktion soll Ende 2026 beginnen, was den weltweiten Ausbau von 5G- und künftigen 6G-Netzwerken beschleunigen und den Ringkerninduktor als Schlüsselfaktor für drahtlose Hochgeschwindigkeitskonnektivität etablieren wird.