フラウンホーファー ENAS、5G 基地局用の 6 GHz 高周波トロイダル インダクターを開発

2026 年 1 月 22 日、ドイツのフラウンホーファー電子ナノシステム研究所 (ENAS) は、5G マクロおよびスモールセル基地局をターゲットとして、最大 6 GHz の周波数で安定した動作が可能な縦型トロイダル インダクターの開発により、高周波コンポーネント技術の画期的な進歩を発表しました。従来のインダクタは、高周波での過度の信号減衰と寄生容量の問題があり、5G RF および電源回路での使用が制限されていました。

新しいトロイダル インダクタは高度なナノ結晶コア材料を採用しており、マイクロ波周波数での高い透磁率と低いコア損失を実現するとともに、最適化されたドーナツ型の形状により寄生容量を最小限に抑えます。テスト結果では、6 GHz での信号減衰はわずか 3% であり、従来のフェライトベースのインダクタを大幅に上回っています。フラウンホーファー ENAS の主任研究員であるヤン マイヤー博士は、このデバイスにより基地局の消費電力が約 8% 削減され、無線通信の遅延が短縮され、5G インフラストラクチャ展開における重大な課題に対処できると述べました。

同研究所はこの技術を世界的な大手通信部品メーカーにライセンス供与しており、商業生産は2026年末に開始される予定で、5Gおよび将来の6Gネットワ​​ークの世界的拡大を加速し、トロイダルインダクタを高速無線接続の主要な実現要因として確立する予定だ。