Material- und Designinnovationen verschieben die Leistungsgrenzen der SMD-Leistungsinduktivität der Nex-Generation

5. Juli 2026 | München, Deutschland Auf der European Power Electronics Exhibition 2026 (PCIM Europe) stellten führende Komponenten- und Materiallieferanten bahnbrechende Innovationen vor, die die Leistungsgrenzen der Leistungselektronik neu definierenSMD-Leistungsinduktivität. Fortschrittliche Kerne aus nanokristallinen und amorphen Metalllegierungen ermöglichen SMD-Leistungsinduktivitäten der nächsten Generation, einen bis zu 30 % höheren Sättigungsstrom, 25 % geringere Kernverluste und eine um 40 % verbesserte Temperaturstabilität im Vergleich zu herkömmlichen Designs auf Ferritbasis zu erreichen.
In Kombination mit hochreinen, sauerstofffreien Kupferwicklungen und ultradünnen Isoliermaterialien reduzieren diese Fortschritte den DCR um weitere 15 % und unterstützen den Betrieb mit höherer Frequenz, der für SiC- und GaN-Leistungsdesigns mit großer Bandlücke erforderlich ist. Das UpgradeSMD-Leistungsinduktivitätliefert dramatische Verbesserungen bei Leistungsdichte, Effizienz und thermischem Verhalten und ermöglicht so kleinere, leichtere und zuverlässigere Stromversorgungssysteme für Elektrofahrzeuge, KI-Server, Luft- und Raumfahrt und industrielle Automatisierung. Branchenexperten sind sich einig, dass diese Material- und Designdurchbrüche die SMD-Leistungsinduktivität als unverzichtbaren Baustein für die nächste Ära hocheffizienter Leistungselektronik festigen werden.