コモンモードチョーク飽和について: バイアス電流が EMI フィルタの性能に与える影響

現代のスイッチング電源や電子機器では、コモンモードチョーク不要な電磁ノイズを抑制するために広く使用されています。これらのコンポーネントの有効性は、実際の動作条件下で高いインダクタンスを維持することに大きく依存します。
性能に影響を与える主な要因の 1 つは、動作中に生成される DC または低周波のバイアス電流です。磁気コアが過剰な電流ストレスを受けると、インダクタンスが減少し、コモンモード減衰が減少する可能性があります。
LISN 測定技術は、さまざまな現在の条件での放出レベルを比較することによってこの劣化を評価します。最小放射レベルはバイアス電流なしのフィルタ性能を表し、ピーク放射レベルは電流による飽和の影響を反映しています。
劣化係数として知られるピーク排出量と最小排出量の比は、排出量の重要な指標です。コモンモードチョークパフォーマンス。劣化係数が高い場合は、磁気コアが効果的に利用されていないことを示します。高品質のフィルター設計では、通常、約 2 ～ 4 の固有の劣化係数が達成されます。
この劣化は主に次の 2 つの影響によって引き起こされます。
1.整流回路に流れる充電電流によるインダクタンスの低減。
2.ブリッジ整流器の順方向および逆方向の導通特性。
これらの要因を分析することで、エンジニアはチョーク設計を改善し、動作範囲全体にわたって安定した EMI 抑制を保証できます。