正確なコモンモードチョーク飽和解析によるEMIフィルタの信頼性の向上

電子機器の小型化と高密度化が進むにつれて、電磁両立性 (EMC) の要件は高まり続けています。コモンモードチョークは依然として伝導性放出を制御するための最も重要なコンポーネントの 1 つですが、磁気飽和が発生するとその性能が低下する可能性があります。
LISN ベースのテストや電流プローブ測定などの高度な飽和解析手法により、エンジニアは現実的な動作条件下で実際のフィルタの動作を評価できます。
ピーク線間電圧中にブリッジ整流器が導通すると、充電電流によってコモンモードチョークコアに磁気バイアスが発生します。コア材料がこの電流レベルに対応できない場合、インダクタンスが減少し、EMI 抑制能力が低下します。
等価回路解析により、コモンモード放射の挙動がソースインピーダンス、整流器の特性、LISN コモンモードインピーダンスの影響を受けることがわかります。ダイオード ブリッジの逆バイアス キャパシタンスも、特に逆導通状態でのフィルタリング性能に影響を与えます。
予想される固有の劣化係数は約 2 ですが、実際の結果は回路パラメータとコンポーネントの特性によって異なります。
製品開発中にこれらのテスト方法を適用することで、エンジニアは以下を最適化できます。
磁心材料の選択
巻線構造
飽和マージン
EMI抑制機能
システム全体の信頼性
これらの改善は、電源、産業用電子機器、自動車システム、および安定した電磁性能を必要とするその他の高性能アプリケーションにとって不可欠です。