L'Université Purdue développe des inductances toroïdales à Q élevé pour les circuits RF de nouvelle génération

Des chercheurs de l'Université Purdue ont dévoilé une nouvelle génération deinducteurs toroïdauxavec des performances exceptionnelles pour les applications haute fréquence, selon une thèse récente publiée dans Purdue e-Pubs. L'équipe, dirigée par le professeur de génie électrique Mohammadi, a développé une inductance toroïdale à 62 tours sur un substrat de silicium à haute résistivité qui atteint une valeur d'inductance de 81,4 nH et un facteur de qualité (Q) maximal de 9,7. Des transformateurs toroïdaux complémentaires avec des rapports de transformation de 8:8, 14:14 et 30:30 ont démontré des coefficients de couplage supérieurs à 0,8 et des fréquences auto-résonantes allant jusqu'à 15 GHz.

Ces avancées répondent à des besoins critiques en matière de circuits intégrés RF et micro-ondes, offrant une réduction améliorée des pertes de puissance, une suppression du bruit et une stabilité de phase. Leinducteurs toroïdauxLa conception compacte et l'efficacité des hautes fréquences devraient permettre des innovations dans les infrastructures 5G, les communications par satellite et les systèmes radar avancés, où la minimisation des interférences électromagnétiques (EMI) et la maximisation de la densité de puissance sont primordiales.