La Purdue University sviluppa induttori toroidali ad alto Q per circuiti RF di nuova generazione

I ricercatori della Purdue University hanno svelato una nuova generazione diinduttori toroidalicon prestazioni eccezionali per applicazioni ad alta frequenza, secondo una recente tesi pubblicata su Purdue e-Pubs. Il team, guidato dal professore di ingegneria elettrica Mohammadi, ha sviluppato un induttore toroidale a 62 spire su un substrato di silicio ad alta resistività che raggiunge un valore di induttanza di 81,4 nH e un fattore di qualità di picco (Q) di 9,7. Trasformatori toroidali complementari con rapporti di rotazione di 8:8, 14:14 e 30:30 hanno dimostrato coefficienti di accoppiamento superiori a 0,8 e frequenze di auto-risonanza fino a 15 GHz.

Questi progressi rispondono alle esigenze critiche dei circuiti integrati RF e a microonde, offrendo una migliore riduzione della perdita di potenza, soppressione del rumore e stabilità di fase. ILinduttori toroidaliSi prevede che il design compatto e l'efficienza ad alta frequenza consentiranno innovazioni nell'infrastruttura 5G, nelle comunicazioni satellitari e nei sistemi radar avanzati, dove ridurre al minimo le interferenze elettromagnetiche (EMI) e massimizzare la densità di potenza sono fondamentali.