Purdue University desenvolve indutores toroidais de alto Q para circuitos de RF de última geração

Pesquisadores da Purdue University revelaram uma nova geração deindutores toroidaiscom desempenho excepcional para aplicações de alta frequência, de acordo com uma dissertação recente publicada na Purdue e-Pubs. A equipe, liderada pelo professor de engenharia elétrica Mohammadi, desenvolveu um indutor toroidal de 62 voltas em um substrato de silício de alta resistividade que atinge um valor de indutância de 81,4 nH e um fator de qualidade de pico (Q) de 9,7. Transformadores toroidais complementares com relações de espira de 8:8, 14:14 e 30:30 demonstraram coeficientes de acoplamento superiores a 0,8 e frequências auto-ressonantes de até 15 GHz.

Esses avanços atendem às necessidades críticas em circuitos integrados de RF e micro-ondas, oferecendo melhor redução de perda de energia, supressão de ruído e estabilidade de fase. Oindutores toroidaisEspera-se que o design compacto e a eficiência de alta frequência permitam inovações na infraestrutura 5G, nas comunicações por satélite e nos sistemas de radar avançados, onde a minimização da interferência eletromagnética (EMI) e a maximização da densidade de potência são fundamentais.