高周波トランスの設計原理

を設計するとき、高周波トランス、変圧器の漏れインダクタンスと分布容量は最小限に抑える必要があります。高周波トランススイッチング電源では、高周波パルス方形波信号が送信されます。伝送の過渡プロセス中に、漏れインダクタンスと分布容量によりサージ電流とピーク電圧、およびトップ発振が発生し、損失が増加します。通常、トランスの漏れインダクタンスは一次インダクタンスの 1% ～ 3% に制御されます。

一次コイルの漏れインダクタンス - トランスの漏れインダクタンスは、一次コイルと二次コイルの間、層間、および巻線間の磁束の不完全な結合によって引き起こされます。

分布容量 - トランスの巻線の巻線間、同じ巻線の上層と下層の間、異なる巻線間、巻線とシールド層の間に形成される静電容量は、分布容量と呼ばれます。

一次巻線 ---- 一次巻線は次の位置に配置する必要があります。

これにより、トランスの一次巻線の各巻の長さが最小限に抑えられ、それによって巻線全体でのワイヤの使用が最小限に抑えられ、一次巻線自体の分布が効果的に減少します。キャパシタンス。

二次巻線 - 一次巻線を巻いた後、(3 ～ 5) 層の絶縁パッドを巻いてから二次巻線を巻く必要があります。これにより、一次巻線と二次巻線間の分布容量の静電容量を低減することができ、また一次巻線と二次巻線間の絶縁強度を高めることができ、絶縁耐電圧の要求を満足させることができる。

バイアス巻線 - バイアス巻線が一次側と二次側の間で巻かれるか、最外層に巻かれるかは、スイッチング電源二次電圧または一次電圧に基づいて調整されます。