研究機関が5G基地局用の高周波垂直トロイダルインダクタを開発

2025 年 1 月 22 日 – ドイツのフラウンホーファー電子ナノシステム研究所 (ENAS) が画期的な技術を開発しました。縦型トロイダルインダクタ最大 6 GHz の周波数で動作するため、5G 基地局に適しています。このコンポーネントにはナノ結晶コア材料が使用されており、効率を犠牲にすることなく高周波性能を実現します。

5G基地局には、信号の完全性を維持しながら高速データ転送速度を処理できるインダクタが必要です。 「従来のインダクタは高周波での信号損失に悩まされています」とフラウンホーファー ENAS の主任研究員であるヤン マイヤー博士は述べています。 「当社の垂直トロイダルインダクタのトロイダル形状は寄生容量を低減し、わずか 3% の信号減衰で 6 GHz で確実に動作することを可能にします。」同研究所はこの技術を大手通信部品メーカーにライセンス供与しており、同社は2025年末に生産を開始する予定だ。新しいインダクタは5G基地局の消費電力を8%削減し、無線通信の遅延を短縮することが期待されている。