Araştırma Enstitüsü, 5G Baz İstasyonları için Yüksek Frekanslı Dikey Toroidal İndüktör Geliştirdi

22 Ocak 2025 – Almanya'daki Fraunhofer Elektronik Nano Sistemler Enstitüsü (ENAS) bir atılım geliştirdidikey toroidal indüktör6 GHz'e kadar frekanslarda çalıştığı için 5G baz istasyonlarına uygundur. Bileşen, verimlilikten ödün vermeden yüksek frekans performansı sağlayan nanokristalin bir çekirdek malzeme kullanıyor.

5G baz istasyonları, sinyal bütünlüğünü korurken yüksek veri aktarım hızlarını karşılayabilen indüktörlere ihtiyaç duyar. Fraunhofer ENAS'ın baş araştırmacısı Dr. Jan Meier, "Geleneksel indüktörler yüksek frekanslarda sinyal kaybıyla mücadele ediyor" dedi. "Dikey toroidal indüktörümüzün toroidal şekli parazitik kapasitansı azaltarak yalnızca %3 sinyal zayıflamasıyla 6 GHz'de güvenilir bir şekilde çalışmasına olanak tanıyor." Enstitü, teknolojinin lisansını, 2025'in sonlarında üretime başlamayı planlayan büyük bir telekom bileşeni üreticisine verdi. Yeni indüktörün, 5G baz istasyonunun güç tüketimini %8 oranında azaltması ve kablosuz iletişim gecikmesini azaltması bekleniyor.