1、 Was ist das Material des Hochstrom-Chip-Induktivitätspakets?
Das Vier-Punkte-Verpackungsverfahren kann grundsätzlich im Vergleich zur Vollverpackung verstanden werden; Nach der Toleranz- und Passmontage von Magnetkern und Magnetring; Der Magnetring ist bei der Gestaltung der Magnetring-Induktivitätsspule quadratisch; Der Magnetkern ist rund; Es ist ersichtlich, dass die Kombination dieser beiden Datensätze eine Lücke erzeugt; Diese Lücke muss durch die Paketdaten geschlossen werden; Aufgrund des geringen Abstands der CKO73-Serie; Generell können die vier Ecken des quadratischen Magnetrings versiegelt werden; Die SMD-Leistungsinduktivität ist eine magnetische Abdeckung.
Denn die Optik des Vier-Punkte-Pakets ist weniger schön als die des Vollpakets; Daher wird der Chip-Leistungsinduktor mit vollständiger Gehäusestruktur erweitert.
Die sogenannte Vollverpackung bedeutet, dass bis auf die vier zu versiegelnden Ecken; Entfernte Teile des Magnetkerns müssen ebenfalls gekapselt werden; Auf diese Weise hat die Struktur des Gesamtpakets ein starkes Gefühl der Integrität; Die Wirkung der magnetischen Abschirmung ähnelt jedoch der einer Vierpunktverpackung; Dabei wird jedoch ein weiterer Prozess hinzugefügt; Genau genommen sind die Kosten etwas höher; Aber auf dem Markt sind Vollpaket-Induktivitäten beliebter; Daher entscheiden sich viele Unternehmen bei der Auswahl der Kosteninvestition für die Chip-Leistungsinduktivität mit Vier-Punkt-Gehäuse; Komponenten sind ursprünglich eingebaute Objekte; Tatsächlich liegt die Bedeutung der Ästhetik nicht in der Position von "* *".
Hochstrom-Chip-Induktivität
2、 Was sind die Hauptparameter der induktiven Hochstrom-SMD-Verpackung?
Some common parameters of high current Chip-Induktor:
1. Induktivität: die Eigenschaft der Induktivität. Je kleiner die Welligkeit, desto besser der Energiespeichereffekt und desto größer die Induktivität; Je größer jedoch die Induktivität ist, desto größer ist die Anforderungsgröße. Je höher sein DCR ist, desto höher ist die Teilspannung, die die Stromversorgung beeinflusst; Wenn die Induktivität klein ist, werden die Energiespeicher- und Filtereffekte schlechter. Die Wahl der Leistungsinduktivität besteht also darin, viele Aspekte zu trennen.
2. Äquivalenter Gleichstromwiderstand (DCR): Der Widerstandswert des Leistungsinduktors beim Durchgang von Gleichstrom hängt von den Daten ab, die zum Wickeln des Induktors, der Arbeitsfrequenz und seiner eigenen Temperatur verwendet werden, die IRMS beeinflusst.
3. Self resonance frequency (SRF): the resonance frequency F0 of the parallel resonant circuit composed of the Chip-Induktor's own inductance and dispersion capacitors. When this F0 is exceeded, the inductance will behave as a capacitive effect. When it is below this F0, the inductance will behave as an inductive effect (the impedance will increase with the increase of frequency).
4. Induktivitätstoleranz: die zulässige Toleranz der praktischen Induktivität relativ zur Nenninduktivität.
5. Nennstrom (IDC): Der Nennstrom des Leistungsinduktors hat zwei Auflösungsmethoden: "Nennstrom basierend auf dem Verlauf seiner eigenen Temperatur" und "Nennstrom basierend auf der Änderungsrate des Induktivitätswerts", die groß sind Bedeutung bzw.
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