Силовые индукторы SMD серии MTNR

Модель: MGZ1005, MGZ1608

ХАРАКТЕРИСТИКИ: * Маленький и низкопрофильный индуктор. * Простой и оригинальный магнитный экран. * Прочная конструкция против падающего удара. ПРИМЕНЕНИЕ: * ЖК-дисплеи, STB, ЖК-монитор/телевизор, интеллектуальный счетчик, преобразователи постоянного тока в постоянный, планшетный ПК и другие портативные устройства.

количество:

Описание продукта

ФУНКЦИИ:

* Маленький и низкопрофильный индуктор.
* Простой и оригинальный магнитный экран.
* Прочная конструкция против падающего удара.

ПРИЛОЖЕНИЯ:

* ЖК-дисплеи, STB, ЖК-монитор / телевизор, интеллектуальный счетчик, преобразователи постоянного тока в постоянный, планшетный ПК и другие портативные устройства.

ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:

* Рабочая температура: от -40 °C до +125 °C.
* Температура хранения: от -40 °C до +125 °C.
* Электрические характеристики при 25 °C.
* Допуск: K: ±10%, M: ±20%, N: ±25%, Y: ±30%.
* Номинальный ток: индуктивность падает на 30% при Isat.
* Повышение температуры: 40 °C при номинальном Irms.
* Стойкость к нагреву при пайке: +260 °C.

ФОРМА И РАЗМЕРЫ:

Рис. 1. Рекомендуемые схемы рельефа

Единица: мм

ТИП	А (мм)	Б(мм)	С (мм)	Д (мм)	Е (мм)	F(Ссылка)	G(См.)	Н(Ссылка)	Фигура
МТНР201610	2,1±0,2	1,6±0,2	1.05МАКС.	0,6±0,2	0,7±0,2	0.8	0.8	1.8	1
МТНР252008	2,6±0,2	2,1±0,2	0,85МАКС.	0,8±0,2	0,9±0,2	0.8	1.0	2.4	1
МТНР252010	2,6±0,2	2,1±0,2	1.05МАКС.	0,8±0,2	0,9±0,2	0.8	1.0	2.4	1
МТНР252012	2,6±0,2	2,1±0,2	1,25 МАКС.	0,8±0,2	0,9±0,2	0.8	1.0	2.4	1

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:

Технические характеристики серии MTNR201610:
номер части	Индуктивность (мкГн)	DCR (мОм) Макс.	Исат(А)	Ирмс (А)	Тестовая частота
МТНР201610-1R0YC	1.0	120	1.5	1.5	100 кГц 1 В
МТНР201610-1R5NC	1.5	174	1.3	1.2	100 кГц 1 В
МТНР201610-2R2MC	2.2	264	1.1	1.0	100 кГц 1 В
МТНР201610-3R3MC	3.3	335	0.8	0.9	100 кГц 1 В
МТНР201610-4R7MC	4.7	479	0.77	0.8	100 кГц 1 В
МТНР201610-6R8MC	6.8	816	0.68	0.55	100 кГц 1 В
МТНР201610-100МС	10	912	0.55	0.45	100 кГц 1 В

Технические характеристики серии MTNR252008:
номер части	Индуктивность (мкГн)	DCR (мОм) Макс.	Исат(А)	Ирмс (А)	Тестовая частота
МТНР252008-Р47ИК	0.47	140	1.8	1.6	100 кГц 1 В
МТНР252008-1R0YC	1.0	219	1.4	1.4	100 кГц 1 В
МТНР252008-1R5YC	1.5	248	1.2	1.1	100 кГц 1 В
МТНР252008-2R2MC	2.2	290	1.0	1.0	100 кГц 1 В
МТНР252008-3R3MC	3.3	416	0.9	0.9	100 кГц 1 В
МТНР252008-4R7MC	4.7	580	0.7	0.7	100 кГц 1 В
МТНР252008-6R8MC	6.8	818	0.65	0.65	100 кГц 1 В

Технические характеристики серии MTNR252010:
номер части	Индуктивность (мкГн)	DCR (мОм) Макс.	Исат(А)	Ирмс (А)	Тестовая частота
МТНР252010-Р33ИК	0.33	52	2.8	2.8	100 кГц 1 В
МТНР252010-Р47ИК	0.47	61	2.5	2.2	100 кГц 1 В
МТНР252010-Р68ИК	0.68	81	2.1	2.0	100 кГц 1 В
МТНР252010-1R0YC	1.0	100	1.85	1.65	100 кГц 1 В
МТНР252010-1R5YC	1.5	137	1.53	1.3	100 кГц 1 В
МТНР252010-2Р2НК	2.2	208	1.2	1.2	100 кГц 1 В
МТНР252010-3R3MC	3.3	267	1.05	0.9	100 кГц 1 В
МТНР252010-4R7MC	4.7	336	0.95	0.7	100 кГц 1 В
МТНР252010-6R8MC	6.8	480	0.78	0.59	100 кГц 1 В
МТНР252010-100МС	10	675	0.65	0.5	100 кГц 1 В
МТНР252010-150МС	15	996	0.45	0.4	100 кГц 1 В

Технические характеристики серии MTNR252012:
номер части	Индуктивность (мкГн)	DCR (мОм) Макс.	Исат(А)	Ирмс (А)	Тестовая частота
МТНР252012-1R0YC	1.0	102	2.4	2.0	100 кГц 1 В
МТНР252012-1R5YC	1.5	120	2.2	1.8	100 кГц 1 В
МТНР252012-2Р2НК	2.2	216	1.62	1.53	100 кГц 1 В
МТНР252012-3R3MC	3.3	234	1.4	1.3	100 кГц 1 В
МТНР252012-4R7MC	4.7	310	1.1	1.0	100 кГц 1 В
МТНР252012-6R8MC	6.8	480	1.0	0.9	100 кГц 1 В
МТНР252012-100МС	10	728	0.85	0.7	100 кГц 1 В
МТНР252012-150МС	15	975	0.65	0.6	100 кГц 1 В
МТНР252012-220МС	22	1560	0.55	0.5	100 кГц 1 В